机译:利用GaAs-Si晶片键合在Si上集成光电器件的GaAs / AlGaAs外延结构的分子束外延
机译:通过直接晶圆键合在Si衬底上具有InP钝化层的InInAs绝缘体超薄绝缘体金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:电阻极低的室温GaAs / InP晶圆键合
机译:通过晶片粘接和氢诱导层剥离的INP / INGAAS / INP P-I-N光电二极管在硅上集成
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于键合的晶片级真空封装使用原子氢预处理的铜键合框架
机译:通过晶片键合技术的混合集成式GaAs / GaAs和InP / GaAs半导体:界面附着力和机械强度
机译:对于先进的器件技术,在没有氢的情况下退火的Gaas,Inp和si的晶片键合